SU-8光刻膠 

SU-8光刻膠克服了普通光刻膠采用UV光刻深寬比不足的問題，在近紫外光（365nm-400nm）范圍內(nèi)光吸收度很低，且整個光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側(cè)壁和高深寬比的厚膜圖形；它還具有良好的力學(xué)性能、抗化學(xué)腐蝕性和熱穩(wěn)定性；在受到紫外輻射后發(fā)生交聯(lián)，是一種化學(xué)擴大負性膠，可以形成臺階等結(jié)構(gòu)復(fù)雜的圖形；在電鍍時可以直接作為絕緣體使用。

SU-8光刻膠的優(yōu)點：

1、SU-8光刻膠在近紫外光(365nm- 400nm)范圍內(nèi)光吸收度很低，且整個光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側(cè)壁和高深寬比的厚膜圖形；

2、SU-8光刻膠具有良好的力學(xué)性能、抗化學(xué)腐蝕性和熱穩(wěn)定性；

3、SU-8在受到紫外輻射后發(fā)生交聯(lián)，是一種化學(xué)擴大負性膠，可以形成臺階等結(jié)構(gòu)復(fù)雜的圖形；

4、SU-8膠不導(dǎo)電，在電鍍時可以直接作為絕緣體使用。

由于具有較多優(yōu)點，SU-8 膠正被逐漸應(yīng)用于 MEMS、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前，直接采用 SU8光刻膠來制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項新技術(shù)。在微流控芯片加工中，SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。

運用SU 8光刻膠加工模具澆鑄PDMS芯片示意圖

SU 8光刻膠光刻前清洗工藝：

為了獲得更好的光刻效果，在進行光刻膠旋涂之前，需要對基材進行清洗。常用的清洗方法是利用濃硫酸及雙氧水的混合溶液浸泡，隨后用去離子水清洗并用氮氣吹干。除此之外還可以利用反應(yīng)離子刻蝕或等離子表面清洗儀清洗。

SU-8光刻膠的光刻工藝

將 SU- 8光刻膠組分旋涂在基材上，旋涂厚度幾至幾百微米。涂覆晶片經(jīng)過前烘并冷卻至室溫。在烘干過程中，優(yōu)先選擇加熱均勻且溫度控制精確的加熱板；不能使用鼓風(fēng)干燥箱，防止因為光刻膠表面優(yōu)先固化從而阻止內(nèi)層光刻膠溶劑的揮發(fā)。冷卻后，將負光掩模與涂覆晶片接觸并在汞燈的紫外輻射劑量10-250mJ/㎝?條件下進行曝光。曝光結(jié)束后，選擇合適的烘烤溫度及時間。將晶片在顯影液中浸漬顯影，隨后用氮氣吹干。

AZ光刻膠

AZ光刻膠刻蝕厚度從1μm到150μm以及更厚。高感光度,高產(chǎn)出率；高附著性,特別為濕法刻蝕工藝改進；廣泛應(yīng)用于全球半導(dǎo)體行業(yè)。

光刻膠產(chǎn)品型號及參數(shù)

正負膠顯影液

SU 8 顯影液

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