AZ 5214E 光刻膠

AZ 5214E 正/負(fù)可改變型光刻膠具有高解像度圖形反轉(zhuǎn)正/負(fù)可改變型光刻膠，特別為lift-off工藝優(yōu)化

AZ光刻膠刻蝕厚度從1μm到150μm以及更厚。

AZ光刻膠特點(diǎn)：

AZ光刻膠工藝條件：

前烘：100℃ 60秒 (DHP)

曝光：1線步進(jìn)式曝光機(jī)/接觸式曝光機(jī)

反轉(zhuǎn)烘烤：110~125℃ 90秒（DHP）：去離子水30秒

全面曝光：310~405nm(在曝光光源下全面照射)

顯影：AZ300MIF顯影液 (2.38%) 23℃ 30~60秒 Puddle

AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping

AZ 400K(1:4)23℃ 60秒Dipping

清洗：去離子水30秒

后烘：120℃ 120秒（DHP）

剝離：AZ剝離液及/或氧等離子體灰化

AZ系列光刻膠正膠進(jìn)口 AZ 光刻膠系列參數(shù)及工藝說(shuō)明

AZ光刻膠刻蝕厚度從1μm到150μm以及更厚。高感光度,高產(chǎn)出率；高附著性,特別為濕法刻蝕工藝改進(jìn)；廣泛應(yīng)用于全球半導(dǎo)體行業(yè)。

光刻膠產(chǎn)品型號(hào)及參數(shù)

AZ光刻膠其他參數(shù)及說(shuō)明：

AZ 5214E 正/負(fù)可改變型光刻膠價(jià)格、工藝、參數(shù)、優(yōu)缺點(diǎn)及說(shuō)明

標(biāo)簽: 光刻膠

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