光刻掩模版通常被連續(xù)用作幾乎每個光刻工藝步驟中。在處理晶圓/樣品時，掩膜版通常會變臟。由于光刻過程中我們常用的接觸是光刻機需要掩膜版與光刻膠上表面緊密接觸以提高光刻精度，因此隨著時間的推移，光刻膠的小碎片不可避免地會粘在掩膜版上。即使在“最佳情況”下，這些碎片會影響接觸式光刻機的分辨率；它們還可能導(dǎo)致掩膜版上的鉻特征結(jié)構(gòu)受到不可逆轉(zhuǎn)的損傷。

為了防止此類問題，通常會使用以下兩種標準工藝來實現(xiàn)掩膜版的清洗：

日常清洗：使用丙酮和異丙醇定期清潔，

強力清洗：使用 5:1 – 100°C 食人魚溶液進行強力清潔。

為確保更長的掩模壽命，應(yīng)在每次光刻后進行定期清潔。當(dāng)定期清潔后光刻膠碎片留在掩膜上時，建議進行強力清潔。

本文檔描述了兩種清潔工藝的標準操作流程。僅作為參考使用，為了您和他人是人身安全，請謹慎操作。

日常清洗

請在實驗室溶劑濕法工作臺區(qū)域操作

所需器皿：2 個方形耐熱玻璃盤

所需化學(xué)品：丙酮、異丙醇 (IPA)

日常清洗操作說明：

分別用丙酮和 IPA 填充兩個耐熱玻璃盤。倒入足夠的溶劑以確保掩膜版完全浸沒。

將掩膜版在丙酮中浸泡 10 分鐘。每 2 分鐘手動攪拌一次，輕輕抬起盤子的一側(cè)。

將掩膜版浸泡在 IPA 中 10 分鐘。每 2 分鐘手動攪拌一次，輕輕抬起盤子的一側(cè)。

漂洗：從 IPA 中取出掩膜版并將其浸泡在先前準備好的去離子水浴中（5 英寸面罩適合 6 英寸晶舟）。開始 使用去離子水3 次循環(huán)沖洗。然后使用吹槍用氮氣吹干面罩

清理工作：將溶劑丟棄在溶劑臺下方的專用廢液容器中。用清水沖洗所有實驗室器具 3 次，然后將它們放在干燥架上。

強力清洗

請在實驗室的非 HF 濕法工作臺內(nèi)進行操作

所需器具：1 個正方形或長方形耐熱玻璃盤，2 個量筒，加熱熱板

化學(xué)品：過氧化氫（H 2 O 2）、硫酸（H 2 SO 4）

注意：必要的話，請尋找技術(shù)人員的協(xié)助！

強力清洗操作說明：

食人魚清洗在這里主要用于去除掩模版上存在的所有光刻膠/抗蝕劑殘留。因此，請參考Piranha 清潔 說明，并進行以下修改：

在這種情況下，硫酸與過氧化氫的比例為 5:1。

推薦的溫度在 70-100°C 之間，因此可以使用加熱板來加熱溶液。

清洗時間：10-15分鐘。

清洗完成后依然需要對掩膜版進行漂洗和3次沖洗操作，并使用氮氣槍吹干。

清理工作：在有明顯安全提示標識下冷卻食人魚液，然后將其倒入特定的廢液回收桶中，最后清洗所有試驗容器和工具，然后將其放置于干燥架上。

總結(jié)

本文僅提供了兩種實驗室常用的掩膜版清洗工藝，并不能替代實驗室操作手冊。由于實驗過程使用到危險化學(xué)品，請務(wù)必嚴格遵守實驗室管理條例，嚴格遵守當(dāng)?shù)丨h(huán)保要求相關(guān)法律法規(guī)。注意自身安全防護！在操作前，獲得必要的實驗室許可，嚴格遵循實驗室安全規(guī)范，充分閱讀相關(guān)化學(xué)品材料安全數(shù)據(jù)表，熟悉緊急處理措施！

當(dāng)然，針對掩膜版上的光刻膠殘留，我們也可以使用氧等離子去膠機來進行清洗，針對比較嚴重的顆粒污染物，我們也可以配合使用兆聲清洗機進行清洗，可有效去除顆粒污染物。

免責(zé)聲明：文章來源網(wǎng)絡(luò)  以傳播知識、有益學(xué)習(xí)和研究為宗旨。 轉(zhuǎn)載僅供參考學(xué)習(xí)及傳遞有用信息，版權(quán)歸原作者所有，如侵犯權(quán)益，請聯(lián)系刪除。