在光刻膠的各種物性參數(shù)中，粘度值也是一個(gè)非常重要的參數(shù)，它對(duì)指導(dǎo)光刻膠的涂膠至為重要，但是我們?cè)陂喿x光刻膠的說明文檔中往往會(huì)發(fā)現(xiàn)不同廠家使用不同的粘度單位， 比如cP，mPa·S，cst， 這對(duì)我們用戶來說對(duì)比不同廠家的光刻膠的粘度性質(zhì)造成了困擾，本文我們就來簡單說明下動(dòng)力粘度和運(yùn)動(dòng)粘度間如何換算。

光刻膠是一種對(duì)光敏感的混合液體，是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料，屬于半導(dǎo)體八大核心材料之一，是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導(dǎo)體材料。                       

光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？

光刻膠的黏度如何表示？

黏度通常用單位“泊”（Poise，P）或者“厘泊”（centipoise, cP）來表示：

1泊（P）= 1 dyne·s/cm2

1厘泊（cP）= 0.01泊（P）= 1 mPa·s（毫帕斯卡·秒）

而光刻膠通常用cp作為其黏度單位，因?yàn)閏p是一個(gè)較小的單位，更適合描述液體的黏度。水在20°C時(shí)的黏度約為1cP，而光刻膠的黏度范圍通常在數(shù)十到數(shù)千cp之間。

光刻膠黏度的重要性？

光刻膠的黏度會(huì)影響到涂層的厚度和均勻性。不同的產(chǎn)品應(yīng)用需要不同厚度的光刻膠涂層。  

半導(dǎo)體制造中，當(dāng)特征尺寸進(jìn)入亞微米或納米級(jí)別時(shí)，需要使用低粘度的光刻膠。低黏度光刻膠在晶圓上流動(dòng)性強(qiáng)，旋涂時(shí)，低黏度光刻膠能夠迅速鋪展，形成較薄且均勻的涂層。薄膠能夠減少光學(xué)衍射效應(yīng)，有利于高分辨率的圖案制作。   在微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）、微流體器件等中，需要使用高黏度的光刻膠，一般可以達(dá)到幾微米到幾十微米厚。在干濕法刻蝕中，厚的光刻膠層可以作為掩膜，保護(hù)下方的材料不被蝕刻劑侵蝕。但是，隨之而來的問題是，旋涂時(shí)間，曝光時(shí)間，顯影時(shí)間都在相應(yīng)增加，控制難度變大，而膜層的均勻性卻在下降。  

光刻膠黏度如何測量？

光刻膠供應(yīng)商一般會(huì)要求晶圓廠在生產(chǎn)過程中多次測量流體粘度，以確保產(chǎn)品質(zhì)量。我們會(huì)使用在線的黏度計(jì)持續(xù)地對(duì)光刻膠的黏度進(jìn)行測量。為什么不是將樣品采集出來離線測量？為了進(jìn)行離線測量，需要從生產(chǎn)過程中提取樣品，這導(dǎo)致生產(chǎn)的暫時(shí)中斷。且由于處理和分析時(shí)間的延遲，離線測量無法提供即時(shí)的反饋。    

光刻膠在用的時(shí)候需要稀釋嗎？

光刻膠是否需要稀釋取決于它的初始黏度、所需的厚度、旋涂設(shè)備能力等。   一些光刻膠是供應(yīng)商預(yù)先配制好的，其黏度已經(jīng)調(diào)整適合特定的應(yīng)用，這類光刻膠通常不需要晶圓廠自行稀釋。但是，如果光刻膠的初始黏度太高，超過了工藝需求，那么可能需要稀釋。

有時(shí)候，通過調(diào)整旋涂設(shè)備的參數(shù)無法得到所需的涂層，但是又不想更換光刻膠時(shí)，可以考慮調(diào)整光刻膠的黏度。   一般在線黏度控制系統(tǒng)中包括黏度計(jì)，稀釋系統(tǒng)等。當(dāng)黏度計(jì)測得的黏度大于設(shè)定黏度時(shí)，稀釋系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)補(bǔ)加相應(yīng)溶劑，直至達(dá)到設(shè)定值才會(huì)停止。不過，補(bǔ)加的溶劑與補(bǔ)加方法要按照光刻膠供應(yīng)商推薦的來，不要自行決定，否則會(huì)有很多新問題出現(xiàn)。  

一般的光刻膠在多少cp？

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