尋找：新的制作納米通道的必要性
與微流控芯片相比，納流控芯片對加工技術(shù)提出了更高的要求。目前國外已有一些綜述介紹了納流控的研究進展，并對相應(yīng)的加工技術(shù)進行了總結(jié)和展望?？v觀現(xiàn)有的各種納米加工技術(shù)，有許多是從微加工技術(shù)改進而來，均有其各自的優(yōu)點和不足。其中應(yīng)用最多的掩膜加工方法(Bulk nanomachining)，首先在基片上通過光刻、刻蝕形成通道，然后用另一塊蓋片與其封合形成芯片；這種方法原理簡單，可用于復(fù)雜結(jié)構(gòu)的制作；但制得的納米通道易變形塌陷或堵塞，且無論用何種材料，芯片的封合始終是一個難點；為了得到更小寬度的通道，在這些方法中多使用精密的光刻技術(shù)，如電子束光刻(electron．beamlithography，EBL)、聚焦離子束光刻(focused．ion beam，F(xiàn)IB)等，成本昂貴，且不適用于多維納米通道的加工制作。表面加工方法(Surface nanomachining)也稱犧牲層技術(shù)(Sacrificial layertechnology)，是一種先形成閉合的芯片，然后除去犧牲層，在芯片中形成納米通道的加工技術(shù)；但這種方法步驟繁瑣而且耗時，犧牲層的刻蝕時間通常達數(shù)小時甚至數(shù)十小時。另外已報道的方法如納米壓印光刻方法(Nanoimprintlithography)，只能加工簡單設(shè)計的芯片；掩埋通道技術(shù)(Buried channeltechnology)制作復(fù)雜，且要用到氣相沉積(Chernical vapordeposition，cvo)真空技術(shù)；化學機械拋光技術(shù)(Chemical mechanical polishing)制作步驟較多，繁瑣耗時。這些加工技術(shù)在制作納米結(jié)構(gòu)時，可以根據(jù)所要分析研究的物質(zhì)及需要來制作相應(yīng)尺寸、形態(tài)的納米結(jié)構(gòu)，使分析更有針對性。而且?guī)追N方法相結(jié)合，可以取長補短，雖然繁瑣也能滿足分析的要求，但這樣將使成本更高，因此找到一種更簡便、更低廉的方法來制作納米通道將顯得非常必要。
標簽: 納米通道 納米技術(shù) 納流控芯片
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