光刻工藝的成本
一個在研的新光刻工藝最終是否被生產(chǎn)線采納用于量產(chǎn)，不僅取決于其技術(shù)指標是否達到要求，更重要的是它能否為芯片生產(chǎn)帶來足夠的經(jīng)濟效益。芯片造價的30%~40%是花費在光刻部分的，包括光刻設(shè)備、掩模、光刻材料以及與之相關(guān)聯(lián)的測量。為此，光刻工藝成本計算一直是業(yè)界的一個熱點。
國際半導體制造協(xié)會（SEMATECH）提出了一個模型來定量計算光刻工藝的成本（cost of ownership，CoO）。根據(jù)SEMATECH的模型，用一層掩模完成一片晶圓曝光的成本是
Cpwle=(Ce+Cl+Cf+Cc+CrQrwNc)/Ng+Cm/Nwm
式中，Ce是每年光刻機、勻膠顯影機的成本（包括折舊費、設(shè)備維護費和安裝調(diào)試費用）；Cl是每年光刻技術(shù)人員工資；Cf是每年光刻設(shè)備占用的凈化間成本；Cc是每年光刻耗材的成本（比如parts的更換等等）；Cr是光刻膠的單價；Qrw是每片晶圓耗費的光刻膠的數(shù)量；Nc是一年中旋涂的晶圓數(shù)；Ng是一年中曝光的晶圓數(shù)。Cm是掩模版的花費；Nwm是掩模版所能曝光的晶圓數(shù)目。上式把光刻工藝中設(shè)備、材料、場地、維護及人員工資做了綜合考慮。使用上式可以推算出光刻工藝的成本與光刻設(shè)備價格、產(chǎn)能、掩模版的造價、晶圓返工率等的關(guān)系，如下圖所示：
在沒有晶圓返工的情況下，隨著晶圓上器件良率的提高，光刻工藝的平均成本大幅下降。在設(shè)備材料成本方面，掩模和光刻設(shè)備的造價是構(gòu)成光刻工藝成本的兩個主要方面。在32nm技術(shù)節(jié)點中，假設(shè)每一塊掩模版可以用于50000片晶圓的曝光，或只能用于小于1000片晶圓的曝光。前一種情況對應(yīng)大批量的生產(chǎn)（掩模版、光刻材料、激光器、人工、設(shè)備折舊）所占的比重如下圖所示。小批量生產(chǎn)中掩模版成本所占的比重大幅度上升。大批量生產(chǎn)中光刻設(shè)備的折舊占主要部分。
因此在制造工藝中，第一是要提高晶圓上器件工藝的良率。保證光刻工藝不返工；第二是要設(shè)法降低掩模版和光刻設(shè)備的成本，要盡量延長掩模版和光刻設(shè)備的使用壽命。
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