• 如何成功進行微流控SU-8光刻膠的紫外曝光？以很容易的避免這個問題。但是還有另一個不可避免的現(xiàn)象，那就是在SU-8光刻膠曝光的過程中，可能會有一個巨大的后果。事實上，如果SU-8光刻膠通過旋涂技...2024-08-23 08:57:36
• 微流控芯片制造工藝（下）將掩模上的圖案分成兩個掩模，從而使特征之間有更大的分離。使用兩個掩模將光刻膠曝光兩次。?雙重曝光的另一個優(yōu)勢是：同一布局中的不同特征（如不同顏色所示）...2024-06-25 08:47:32
• 勻膠“邊膠”的產(chǎn)生及改善措施光過程中，邊珠還會在光刻膠膜和掩膜板之間充當不必要的間隙，這通常會導(dǎo)致光刻膠曝光的圖案分辨率低、尺寸誤差大或顯影后圖案的側(cè)壁不陡直等。消除“邊膠”的措...2024-02-22 09:54:25
• 光刻工藝介紹，使光刻膠在某種特定溶液中的溶解特性改變，有正性和負性光刻膠之分。正性光刻膠曝光的部分可溶解于顯影液中，負性光刻膠膠未曝光的部分可溶于顯影液中。光刻膠...2023-12-21 10:56:32
• 一文了解SU-8光刻膠放大光刻膠使用光致酸劑（PAG）作為光引發(fā)劑。?（光交聯(lián)反應(yīng)示意圖）當光刻膠曝光后，曝光區(qū)域的光致酸劑（PAG）將會產(chǎn)生一種酸。這種酸在后熱烘培工序期...2023-07-25 08:58:21
• 負顯影 Negative Tone Development (NTD)的量產(chǎn)中[2]。?圖1?常規(guī)的顯影工藝與負顯影工藝對比負顯影的原理是：光刻膠曝光之前是不親水的聚合物(hydrophobic polymer)，能溶解...2018-07-24 09:10:22
• 芯片光刻的流程詳解（下）銨（TMAH）（標準當量濃度為0.26，溫度 15～250C）。在I線光刻膠曝光中會生成羧酸，TMAH顯影液中的堿與酸中和使曝光的光刻膠溶解于顯影液，...2018-07-12 08:59:24
• 微流控SU-8光刻膠的紫外曝光以很容易的避免這個問題。但是還有另一個不可避免的現(xiàn)象，那就是在SU-8光刻膠曝光的過程中，可能會有一個巨大的后果。事實上，如果SU-8光刻膠通過旋涂技...2017-12-21 08:58:06
• 光刻膠成分及用途刻膠的主要技術(shù)參數(shù)5.1．靈敏度（Sensitivity）靈敏度是衡量光刻膠曝光速度的指標。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量越小。單位：毫焦/平方厘...2017-10-31 17:26:19
• 光刻基本操作步驟一、認真核對隨工單：檢查隨工單上的工步與片子數(shù)是否與實際相符，如果正確，將其倒入黑盒中，用倒邊器檢查片子是否有崩邊，若有則查對隨工單上是否有標明，若無...2017-10-25 09:31:42