細(xì)胞電融合芯片的研究進(jìn)展
自從電學(xué)方法成功用于細(xì)胞電穿孔、電融合經(jīng)過近30 年的發(fā)展完善,得到了廣泛應(yīng)用。傳統(tǒng)細(xì)胞電融合裝置通常采用大型融合槽,容量大,可以容納1 mL 以上的樣品液,同時,融合裝置的可操作性較強,也便于進(jìn)行滅菌處理,進(jìn)/出樣無需復(fù)雜的設(shè)備即可進(jìn)行。但是,盡管經(jīng)過多年的不斷改進(jìn),該方法仍存在一些難以克服的缺陷。例如,融合電極多采用平板式電極或者尺寸在2~10 mm 的大型電極,電極間距通常在1~5 mm。因此,為了達(dá)到細(xì)胞穿孔及融合所需的電脈沖強度,所需脈沖信號電壓常常高達(dá)102~103 V,給實驗操作者及實驗細(xì)胞都帶來了不安全因素。對系統(tǒng)的整體電氣安全性也提出了很高要求。同時,過高的工作電壓給細(xì)胞電融合信號發(fā)生裝置的研制帶來了很大難度,系統(tǒng)成本也因此大為提高。電極尺寸遠(yuǎn)大于細(xì)胞,難以實現(xiàn)對細(xì)胞的準(zhǔn)確、有效控制,因而在排隊過程中細(xì)胞間的配型準(zhǔn)確率差,容易產(chǎn)生多核的融合子,其存活率和分化率都極低,將進(jìn)一步影響細(xì)胞電融合效率。此外,傳統(tǒng)裝置中融合過程難以實時觀察,不利于融合過程的研究和融合條件的摸索優(yōu)化。而且,該裝置不利于細(xì)胞電融合技術(shù)向集成化、便攜式等方向發(fā)展。為了克服傳統(tǒng)方法的這些缺陷,提高細(xì)胞融合效率和自動化程度,從上個世紀(jì)末開始,細(xì)胞電融合技術(shù)的研究逐漸進(jìn)入微觀層次,并隨著微流控技術(shù)和微加工技術(shù)的進(jìn)步得到了快速發(fā)展。
標(biāo)簽:  細(xì)胞電融合芯片 研究進(jìn)展 細(xì)胞芯片 微流控芯片