光譜電化學(xué)及其在微流體中的應(yīng)用現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)(上)
本文綜述了光譜電化學(xué)(SEC)技術(shù)的最新進(jìn)展。光譜和電化學(xué)的結(jié)合使SEC能夠?qū)﹄娀瘜W(xué)反應(yīng)過(guò)程中分析物的電子轉(zhuǎn)移動(dòng)力學(xué)和振動(dòng)光譜指紋進(jìn)行詳細(xì)而全面的研究。盡管SEC是一種有前景的技術(shù),但SEC技術(shù)的使用仍然有限。因此,考慮到SEC在分析領(lǐng)域的巨大潛力,需要對(duì)其進(jìn)行足夠的宣傳。與之前發(fā)表的主要關(guān)注相對(duì)常用的SEC技術(shù)(紫外可見(jiàn)SEC和表面增強(qiáng)拉曼光譜SEC)的綜述論文不同,這兩種不常用但有前景的技術(shù)(核磁共振SEC和暗場(chǎng)顯微鏡SEC)也得到了詳細(xì)的研究。本文不僅重點(diǎn)介紹了每種SEC方法的應(yīng)用,還詳細(xì)介紹了它們的主要工作機(jī)制??傊?,本文總結(jié)了每種SEC技術(shù)的工作原理、當(dāng)前應(yīng)用、遇到的挑戰(zhàn)和未來(lái)的發(fā)展方向。此外,本文還詳細(xì)介紹并比較了每種SEC技術(shù)的應(yīng)用研究方向。此外,將SEC技術(shù)集成到微流體中正成為最小化分析設(shè)備的趨勢(shì)。因此,討論了SEC技術(shù)在微流體中的應(yīng)用。
由于光譜和電化學(xué)的耦合(以下簡(jiǎn)稱光譜電化學(xué)(SEC))可以提供電化學(xué)過(guò)程中電子轉(zhuǎn)移動(dòng)力學(xué)和分析物結(jié)構(gòu)信息的詳細(xì)和全面的研究。SEC正吸引著人們對(duì)分析領(lǐng)域各種研究的濃厚興趣,從生物學(xué)到化學(xué)、材料工程等。SEC技術(shù)的示意圖如圖1a所示。電化學(xué)技術(shù),如循環(huán)伏安法(CV)、微分脈沖伏安法(DPV)或電化學(xué)阻抗譜(EIS),已被用于SEC技術(shù)。同樣,紫外可見(jiàn)光譜(UV-Vis)、拉曼/表面增強(qiáng)拉曼光譜(SERS)和核磁共振(NMR)是常用的光譜技術(shù)。因此,SEC技術(shù)具有令人難以置信的多功能性,因?yàn)橛卸喾N電化學(xué)方法可供選擇,并且可以根據(jù)所研究的系統(tǒng)和要獲得的所需信息分析不同的光譜區(qū)域。SEC技術(shù)已被用于確定微小的結(jié)構(gòu)變化和微小的發(fā)光響應(yīng)。其中一些例子包括理解電極和不同電解質(zhì)基質(zhì)之間的電子轉(zhuǎn)移動(dòng)力學(xué)、質(zhì)量傳遞以及分析物和納米粒子(NP)的氧化還原事件。
SEC“家族”不斷擴(kuò)大,包括暗場(chǎng)顯微鏡SEC(DFM-SEC)和核磁共振SEC(NMR SEC)等技術(shù)。在過(guò)去的幾十年里,不同的SEC組合技術(shù)出現(xiàn)在各個(gè)分析領(lǐng)域。圖1b顯示了過(guò)去四年中關(guān)于相關(guān)技術(shù)的文章。然而,即使對(duì)于UV-Vis SEC和拉曼SEC這兩種相對(duì)成熟的組合,相關(guān)的已發(fā)表工作仍需擴(kuò)展,更不用說(shuō)NMR SEC和DFM SEC的使用了。由于缺乏廣泛的宣傳,SEC技術(shù)的發(fā)展仍然是一個(gè)嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。為此,本綜述工作討論了近年來(lái)SEC技術(shù)的發(fā)展,即UV-Vis SEC、拉曼SEC、NMR SEC和DFM SEC。在SEC技術(shù)中,UV-Vis SEC和拉曼SEC是使用最廣泛的兩種SEC技術(shù);因此,有必要了解他們的最新研究趨勢(shì)。由于關(guān)于NMR SEC和DFM SEC的論文有限,這進(jìn)一步限制了這兩種有前景的SEC技術(shù)的采用。討論這兩種技術(shù)是至關(guān)重要的。本文首先討論了每種技術(shù)的基本工作原理,然后介紹了該領(lǐng)域的最新進(jìn)展。近年來(lái),SEC技術(shù)在微流體中的應(yīng)用越來(lái)越受到人們的關(guān)注。因此,本文的最后一部分介紹了SEC和微流體技術(shù)相結(jié)合的發(fā)展。對(duì)于SEC技術(shù),總結(jié)和展望部分討論了它們?cè)诜治鰬?yīng)用中的優(yōu)缺點(diǎn)及其未來(lái)的發(fā)展方向/前景。通過(guò)這項(xiàng)審查工作,我們希望更多的人,無(wú)論是成熟的研究人員還是初學(xué)者,都能在各自的研究領(lǐng)域看到、理解和使用這些SEC技術(shù)。
2.紫外可見(jiàn)SEC(UV-Vis SEC)
如上所述,最常用的SEC設(shè)置是UV-Vis SEC和拉曼SEC。UV-Vis-SEC是一種強(qiáng)大的混合技術(shù),使研究人員能夠同時(shí)獲得電化學(xué)和光譜響應(yīng)。UV-Vis SEC是最古老的SEC技術(shù),由Kuwana于1964年推出。在這項(xiàng)原創(chuàng)工作中,使用氧化錫涂層光學(xué)透明電極(OTE)平臺(tái)作為WE,以了解鄰甲苯胺(C14H16N2)氧化過(guò)程的機(jī)理和電氧化產(chǎn)物的吸收特征。隨后,使用UV-Vis-SEC方法檢測(cè)吩嗪并探索其氧化還原特性。Pavel等人使用該技術(shù)快速測(cè)定0/?/2?/金屬-有機(jī)骨架的光學(xué)和氧化還原性質(zhì)。
根據(jù)光源的排列,UV-Vis SEC大致可分為兩類,即正常透射排列(圖2a)和平行透射排列(見(jiàn)圖2b)。當(dāng)光束在正常配置下垂直于WE表面?zhèn)鞑r(shí),它會(huì)收集有關(guān)溶液和WE的信息。然而,當(dāng)光束平行于WE(平行傳輸布置)時(shí),只對(duì)解進(jìn)行采樣。對(duì)于正常的透射布置,由于光源需要穿透分析物溶液和WE,因此,在這種情況下,OTE是UV-Vis SEC成功的基礎(chǔ),也是一個(gè)值得深入研究的課題。這大大減少了可以使用的WE數(shù)量。另一方面,在平行配置中需要光束的完美但困難的對(duì)準(zhǔn)。然而,在實(shí)踐中,這意味著必須組裝許多不同的部件才能進(jìn)行單個(gè)實(shí)驗(yàn)。
2.1. UV Vis SEC中的OTE
OTE用于廣泛的應(yīng)用,這些應(yīng)用源于對(duì)電子轉(zhuǎn)移機(jī)制的基礎(chǔ)研究,以及成熟的日常應(yīng)用,特別是在光伏和薄膜晶體管(TFT)領(lǐng)域。目前,常用的OTE是金屬氧化物薄膜(如氧化銦錫(ITO)、摻氟氧化錫(FTO));薄金屬膜(例如金(Au)、鉑(Pt));以及沉積在硼硅酸鹽或石英玻璃基板上的碳基OTE(例如石墨烯、碳納米管、玻璃碳)。表1總結(jié)了UV-Vis SEC最近應(yīng)用中不同OTE的使用情況。
最近的研究集中在使用碳基OTE。碳基OTE比傳統(tǒng)的金屬或金屬氧化物OTE具有令人信服的優(yōu)勢(shì)。這些材料易于接近,具有優(yōu)異的化學(xué)惰性、高電導(dǎo)率、寬的電化學(xué)電位窗口、多種制備方法和表面改性的簡(jiǎn)單性。然而,碳基OTE也存在一些缺點(diǎn),例如(i)基材和碳納米材料之間的粘附力弱,(ii)生產(chǎn)能力低,以及(iii)它們的表面可能具有各種官能團(tuán),因?yàn)樗鼈兊谋砻嫘再|(zhì)會(huì)影響它們的電化學(xué)性能。
2.2. UV-Vis SEC的應(yīng)用
眾所周知,UV-Vis SEC已應(yīng)用于許多領(lǐng)域,例如電子轉(zhuǎn)移過(guò)程、太陽(yáng)能電池、存儲(chǔ)器件和生物感興趣化合物的測(cè)定。表2給出了所選示例的電極配置和光布置的詳細(xì)總結(jié)。如圖3a所示,Jesus等人演示了一種詢問(wèn)三電極配置的原位UV-Vis SEC技術(shù),用于指導(dǎo)葡萄柚中抗壞血酸(AA)的測(cè)定。在這種情況下,三電極電池(工作電極(WE)、SWCNT的對(duì)電極(CE)和銀/氯化銀(Ag/AgCl)參比電極(RE))直接放置在葡萄柚內(nèi),無(wú)需任何預(yù)處理。使用電化學(xué)方法(在+0.90 V下氧化AA),發(fā)現(xiàn)AA的濃度為[1.99±0.14]×10?3 M。而使用光譜方法(UV-Vis),他們發(fā)現(xiàn)濃度為[2.06±0.11]×10?3 M。這項(xiàng)工作中需要詳細(xì)說(shuō)明的一個(gè)有趣點(diǎn)是SWCNT電極的制備。首先,過(guò)濾SWCNT分散體,隨后,使用具有定制設(shè)計(jì)的模板將SWCNT薄膜壓轉(zhuǎn)移到聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)片材上。結(jié)果,證明了SWCNT電極的優(yōu)異再現(xiàn)性。在此,光源與WE表面平行,記錄了與SWCNT WE表面相鄰的溶液的前100μm,以進(jìn)行進(jìn)一步的光學(xué)分析。
電化學(xué)預(yù)富集是受控電位下最常被討論的預(yù)富集技術(shù)之一?;旌?/span>SEC技術(shù)也經(jīng)常涉及這種方法,以幫助實(shí)現(xiàn)定量超痕量水性目標(biāo)分析物的目標(biāo)。如Arash等人最近發(fā)表的這篇論文,在這項(xiàng)工作中,對(duì)鉀通道阻滯劑ampyra(AMP)的監(jiān)測(cè)進(jìn)行了研究。如圖3(b1)所示,本研究采用了一個(gè)裝有FTO透明WE、Pt板(10×20mm2)CE和Ag/AgCl-RE的玻璃比色皿。光束穿過(guò)WE到達(dá)二極管陣列探測(cè)器(約1cm光路)。記錄了320 nm處的光強(qiáng)度信息(與AMP相關(guān)),如圖3(b2-b4)所示。AgNP修飾的FTO WE可以顯示出約5.77μmol/L AMP的極低檢測(cè)限,這對(duì)于定量商業(yè)片劑中的AMP是令人滿意的。
來(lái)源:https://doi.org/10.3390/mi14030667 以傳播知識(shí)、有益學(xué)習(xí)和研究為宗旨。轉(zhuǎn)載僅供參考學(xué)習(xí)及傳遞有用信息,版權(quán)歸原作者所有,如侵犯權(quán)益,請(qǐng)聯(lián)系刪除。
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