1 成膜性能

主要應用于剛性或柔性物體表面的微紋(納米結(jié)構(gòu))復制，因此要求所用的光刻膠的厚度通常為幾十至幾百納米，只有高質(zhì)量的光刻膠薄膜才能獲得理想的圖形。在不同工藝條件下，不同工藝對光刻膠成膜性能的要求各不相同，其中，熱壓、紫外壓印所用的旋涂式薄膜對光刻膠成膜性能要求高，對基材具有良好的潤濕性、優(yōu)良的成膜性能、厚度均勻及無氣孔缺陷等。該膠料應用于步進壓印和滾壓壓印，要求其粘度較低，可以用壓印力補償涂膠時所引起的不均勻，同時要求基材潤濕性好，容易成膜。

2   壓印性能。

在壓印過程中應用的光刻膠與傳統(tǒng)的曝光法有很大不同，傳統(tǒng)曝光法不需要模板或掩膜。薄膜與光刻膠有直接機械接觸，而前者需要通過機械接觸，使光刻膠形成一個與模板表面凹凸結(jié)構(gòu)相反的圖形。這樣，光刻膠的硬度、粘度對得到圖形的精度和壓印力的大小都會有很大的影響，例如，如果硬度太大，會引起壓印力的增加，很可能會導致模板的損壞。較好的壓印性能還要求光刻膠對基材有比對模板更大的粘附，這樣可以避免脫膠，減少對壓印圖形的損壞。

3   硬度及粘度

硬度和粘度是光刻膠的兩個重要性能指標，其中硬度對光刻膠的可塑性有影響，在壓印前，要求光刻膠的硬度越小越好，不能大于模板的硬度，以使壓印時不會因壓印力過大而造成模板損傷，

固化后則要求有較高的硬度，以避免在脫模時損壞精細結(jié)構(gòu)。粘性則影響光刻膠的流動性，壓印時要求粘度適中，過大則導致光刻膠系統(tǒng)流動性差，且降低生產(chǎn)效率，過小則會影響成膜性能。

4   固化速率

固化速率直接影響生產(chǎn)效率，根據(jù)固化原理可分為三種：熱塑性、熱固性和光敏性，而且固化速度也是依次增加，熱塑性是非化學反應的，固化速度慢。但熱固性和光敏性光刻膠有較快的固化速度，所以目前主要使用熱固性和光敏性光刻膠。

5   界面特性

表觀特性是光刻膠的一個重要性能指標，也是當前研究的重點，它直接影響著壓印工藝。

精確度與完整性在印刷過程中，由于壓印過程是機械接觸的過程，因此在接觸時必須考慮兩種材料的表面性質(zhì)，如光刻膠與模板的粘附、光刻膠與基材的粘附力。

在理想的光刻膠系統(tǒng)中，前者要求膠粘力小，后者粘合力大，這樣的要求就是為了避免脫膠而引起脫模損傷。目前常用的純有機碳氧主鏈材料，由于其表面能量高，容易與基材和模板之間粘接，但增加了脫模難度，并有可能損壞微結(jié)構(gòu)。但含氟、硅的聚合物表面能較低，容易脫模，但也容易引起脫膠。針對這些問題，研究人員采用了兩種方法：一種是合成雜化材料，使其兩側(cè)具有2種表面特性，即與基材接觸面(含碳氧基)有高的表面能，增加對基材的粘附作用，防止脫膠，與模板接觸的一側(cè)(含有硅氧或氟碳基的)表面能低，對模板的附著力低，容易脫模；第二種解決方法為在碳氧主體材料中添加有機硅或氟碳類添加劑，其作用類似于表面活性劑，有利于降低光膠表面能，從而順利脫模。

6抗刻蝕能力

光刻膠的主要用途是作為防蝕劑來轉(zhuǎn)移微圖像，這一過程需要有選擇地刻蝕，即在沒有光刻膠保護的零件上刻蝕，有光刻膠的部分因其耐刻蝕能力而受到保護，從而達到圖形傳遞的目的。由于傳統(tǒng)的C—c鍵和C—H鍵能較低，對純有機材料的耐蝕能力較弱。但c—si鍵鍵能高、耐刻蝕能力強，是目前人們所選用的主要材料；半導體工藝中，一般采用含氟等離子體刻蝕硅片，由于氟聚合物元素相似，所以選擇性非常高。