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微流控芯片單層模具加工工藝

一、硅片清洗

硅片標準清洗,放置200°電熱板15min,烘干。

二、硅片修飾

將硅片放置于揮發(fā)缸中,滴入1~2滴修飾試劑HMDS,揮發(fā)處理時間≥3min;

三、硅片甩膠

光刻膠倒在處理后的硅片上(注意避免氣泡存在)。按照預(yù)定圖形高度,設(shè)定勻膠機轉(zhuǎn)速。勻膠后靜置1~2min。

四、硅片曝光

根據(jù)光刻膠性能確定前烘時間,進行前烘處理;根據(jù)曝光機功率及光刻膠所需曝光計量設(shè)定曝光時間,進行曝光;曝光后,取出模板放置烘膠臺,根據(jù)光刻膠性能確定中烘時間,進行中烘處理。

五、顯影

冷卻后放入顯影液中;具體顯影時間由顯影效果確定,顯影2~3次,通風廚內(nèi)氮氣吹干。

六、修飾(脫模劑處理)

將硅片放置于揮發(fā)缸中,滴入1~2滴修飾試劑tmcs,揮發(fā)處理。模具加工完成。

注:上文中所需相關(guān)儀器:電熱板、勻膠機、烘膠臺;耗材:光刻膠、顯影液、硅片均可在我公司購買

(汶顥芯片www.vonpft.cn)



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