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硅片模具制作總體來說為：2洗（清洗和顯影）1曝光。

注：1. 每做一步停1~2min，溫度，涂膠等均勻；2. 注意紫外光強度。

一、硅片清洗

1. 清洗硅片并準備掩膜：

1）濃H₂SO₄/H₂O₂=3﹕1，15min（配1次洗液可以用1周；H₂O₂ 30%）；

2）打開電熱板調(diào)至200℃；掩膜準備；

2. 超純水清洗硅片；

注釋：用鑷子夾著硅片，不能使硅片放干；

3. 無水乙醇清洗硅片，1min（搖動或超聲），不用水洗！

4. 丙酮清洗硅片，1min（搖動或超聲）；

5. 超純水清洗；

6. 吸水紙吸取邊緣水分（勿放于吸水紙上）；

7. 用鑷子夾住硅片，氮氣吹干或者放在200℃電熱板上方（不能接觸），待徹底干后，放在電熱板上5min；

二、硅片修飾

8. 將硅片放置于揮發(fā)缸中，滴入1~2滴修飾試劑（勿見水），≥3min；

注釋：修飾試劑為1,1,1,3,3,3-Hexamethyldislazane, 98+%；

三、硅片甩膠（不同機器操作不同，供參考）

9. 打開壓縮機，打開真空泵；

10. 將硅片放置于勻膠機正中，平衡好；鋪AZ-50（陰膠SU-8），濃度越高，厚度越大，鋪好后靜止1~2min；

將200℃電熱板調(diào)至90℃，打開65℃電熱板；

打開汞燈：先開電源開關(guān)，按“觸發(fā)”使其顯示數(shù)字，平衡至電壓顯示穩(wěn)定（汞燈預(yù)熱15min后，電壓顯示41左右，電流6左右）；

11. 按預(yù)定程序甩膠：500 rpm 15 s，3000 rpm 1 min 15 s，按vacuum抽真空（必須>23），按run運行；

注釋：甩膠程序設(shè)定，select program選擇A模式，F1設(shè)置，step下一個參數(shù)； 

12. 結(jié)束后，停止真空1~2min（目的是為了讓硅片中間恢復平面，膠勻）；

四、硅片曝光（曝光時間僅供參考）

曝光前烘：放置于65℃ 1 min，90℃ 4 min，65℃ 1 min（加熱中要調(diào)整以使其加熱均勻）；

注釋：陰膠和陽膠都有前烘過程，且過程一樣；陰膠還有后烘過程（同前烘），陽膠沒有；

1. 打開曝光機；放置硅片于曝光機硅片托盤上（調(diào)整于中央，靠緊里面）；

2. 打開真空泵，將吸片放在勻膠機上吸?。?/span>Vacuum）；

3. 曝光過程（提前設(shè)好曝光時間）：

1) 取下掩膜吸（托盤）；將貼有掩膜的玻璃放置于曝光機掩膜吸上；

2) 按“運行”；

3) Z向“鎖緊”（實按鈕）；

4) “吸掩膜”；

5) 放上掩膜吸托盤，擰緊；

6) “不吹氮”；

7) “吸片”；

8) 放入硅片托盤，調(diào)整硅片位置，正對掩膜；

9) Z向抬升鎖緊，右擰（2次聲音），粗調(diào)聽到第2次聲音，細調(diào)憑手感；

10) “真空復印”（真空度18左右，大氣¹ 0.5 Mpa，大氣² 0.25 Mpa）；

11) 曝光。

12) 左擰打開，“esc”取消吸片，“esc”返回；

13) 拿下掩膜吸托盤，取消“掩膜吸”，拿下掩膜；

14) 拿下硅片，陰膠后烘，陽膠直接顯影；

15) 關(guān)閉汞燈，關(guān)閉曝光機。

注釋：曝光時間根據(jù)光刻膠厚度而定，陽膠曝光75 s（若超過90 s，小于30 μm的通道易損害），陰膠曝光45s，陰膠曝光后65℃ 1min；

4. 曝光后烘（陰膠）：放置于65℃ 1 min，90℃ 4 min，65℃ 1 min（加熱中要調(diào)整以使其加熱均勻）；

五、顯影

5. 陰膠顯影：Su-8 developer（不能見水），< 3 min，適量；

注釋：邊搖邊洗，1 min左右拿出，氮氣槍吹干（由遠及近，沿管道吹），若有彩色，再洗；最后一次用干凈顯影液稍洗一下即可（使其干凈）；最后，正面吹干，背面擦干凈；

陽膠顯影：AZ developer﹕蒸餾水=1﹕3，配制80 mL，分裝2皿，洗< 3 min，不好洗的話，適當延長時間，最后用超純水沖洗干凈；

6. 觀察效果，結(jié)束制作；

7. 堅膜（可選）：115℃à室溫；

8. 用工業(yè)用乙酸乙酯洗勻膠機，吸片吸上（切記！），轉(zhuǎn)起來，從上倒洗液。

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